天然氣回收設備廠家光刻工藝是掩膜板上的圖形在感光材料光刻膠上成像的過程。流程一般分為氣相成底膜、旋轉涂膠、軟烘、對準和曝光、曝光后烘焙、顯影、堅膜烘焙等。曝光設備一般又可依波長之不同分為365nm的I-line、248nm的KrF深紫外線曝光設備，以及193nm的ArF深紫外線曝光設備和浸潤式曝光設備。工藝相關設備需放置在黃光的區域。該區域需要有獨立的回風，天然氣回收設備廠家對潔凈度亦有較高的需求，并裝置去離子器，對溫度、濕度、抗微振性能有高的要求。
    9 化學機械研磨工藝。
    化學機械研磨工藝是把芯片放在旋轉的研磨墊上，施加一定的壓力，天然氣回收設備廠家用化學研磨液進行研磨的平坦化過程，以完成多層布線所需的平坦度要求。通常應用在8英寸及以上的芯片加工工藝中。
    10 檢測。

    透過微分析技術對材料以及工藝品質做鑒定和改善，天然氣回收設備廠家可概分為在線檢測及離線檢測。
    11 硅片驗收測試。
    硅片驗收測試是在工藝流程結束后對芯片做電性測量，天然氣回收設備廠家用來檢驗各段工藝流程是否符合標準。
    12 中測。
    中測的目的是將硅片中不良的芯片挑選出來，通常包含電壓、電流、時序和功能的驗證，所用到的設備有測試機、探針卡、探針臺以及測試機與探針卡之間的接口等。
3.3.3 在芯片制造過程中，為了降低生產工序中發生的成本，必須設計出合理的設備布局來縮短搬運的距離和時間，提高設備的利用率。天然氣回收設備廠家一般會根據由工藝技術確定工藝流程。