菏澤公司化學氣相淀積工藝利用氣態的化學材料在硅片表面產生化學反應，并在硅片表面上淀積形成一層固體薄膜，如二氧化硅、各種硅玻璃、多晶硅、氮化硅、鎢與硅化鎢等。因反應壓力的不同一般可分為：常壓化學氣相淀積法、菏澤公司低壓化學氣相淀積法（相關設備有批量加工形式的爐管，也有單一硅片加工形式的設備）、亞大氣壓化學氣相淀積法、等離子體增強型化學氣相淀積法、高密度等離子體增強型化學氣相淀積法。
    5 離子注入工藝。
    離子注入工藝是通過將選定的離子加速，菏澤公司射入硅片的特定區域而改變其電學特性的一種工藝。一般可以分為大電流型、低能型、中低電流型、高能型。
    6 濺射工藝。

    濺射工藝通過靶材來提供鍍膜的金屬材料，菏澤公司利用其重力作用，使靶材產生的金屬晶粒掉落至硅片表面，從而形成金屬薄膜。
    7 刻蝕工藝。
    刻蝕工藝用于將形成在硅片表面的薄膜，菏澤公司被全部或依照特定圖形部分地去除至必要的厚度。一般可以分為濕法刻蝕和干法刻蝕。濕法刻蝕利用液體酸液或溶劑，將不要的薄膜去除。干法刻蝕利用帶電粒子以及具有高度活性化學的中性原子和自由基的等離子體，菏澤公司將不要的薄膜去除。