浮頭式換熱器集成電路芯片工藝十分復雜，復雜電路的工藝步驟可高達500多步，一般可概分為前段工藝及后段工藝。硅片下線后，在其清洗過后的表面上，通過氧化或化學氣相淀積的方法形成各種薄膜，經由光刻成型與刻蝕工藝形成各類圖形，采用離子注入或擴散方法摻雜形成所需的電學特性，再通過濺射形成多重導線，如此多次循環重復，*終形成電路圖形。
浮頭式換熱器清洗工藝。

    清洗工藝主要用來去除金屬雜質、有機物污染、微塵。一般情況下，使用高純度的化學品來清洗，高純度的去離子純水來洗濯，*后在高純度的氣體環境下高速脫水甩干，或采用高揮發性的有機溶劑除濕干化。按照清洗方式的不同，浮頭式換熱器一般可分為濕法化學法、物理洗凈法和干法洗凈法。
    2 氧化工藝。
    氧化工藝由硅的氧化形成氧化層，作為性能良好的絕緣材料。浮頭式換熱器一般可分為濕法氧化法和干法氧化法；而常見的氧化設備有式與直立式爐管。?
    3 擴散工藝。
    擴散工藝是指物質（氣、固、液）中的原子或分子在高溫狀態下，因高溫激化作用，浮頭式換熱器由高濃度區域移至低濃度區域。
    4 化學氣相淀積工藝。