套管式換熱器生產的工藝技術和配套的設備應按硅集成電路芯片工廠的產品類型、月*大產能、生產制造周期、投資金額、長期發展進程等因素確定。
3.2.2 對于線寬在0.35μm及以上工藝的硅集成電路的研發和生產，宜采用4英寸～6英寸芯片生產設備進行加工。
3.2.3 對于線寬在0.13μm及以上工藝的硅集成電路的研發和生產，套管式換熱器宜采用8英寸芯片生產設備進行加工。
3.2.4 對于線寬在20nm～90nm工藝及以下的硅集成電路的研發和生產，宜采用12英寸芯片生產設備進行加工。

3.2.1 硅集成電路產品分為數字電路和模擬電路兩大類。數字電路包括存儲器、微處理器和邏輯電路，模擬電路主要包括標準模擬電路和特殊模擬電路。產品的品種和技術要求不同產生不同的生產工藝，從線寬來區分從較早的5μm到*新的20nm工藝，套管式換熱器從加工硅片直徑來區分從3英寸、4英寸、5英寸、6英寸、8英寸、12英寸以及今后的18英寸，工程投資金額存在數千萬元至近百億美元的巨大差異，凈化區面積也從數百平方米到*新的數萬平方米不等，因此選擇適合的工藝技術及配套設備是工廠設計的基礎。表1是ITRS公布的2011年國際半導體技術藍圖的預測，套管式換熱器集成電路產業的發展更新依然十分迅速。